型号:EPC1009 | 类别:FET - 单 | 制造商:EPC |
封装:5-LGA | 描述:TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
系列 | eGaN® |
制造商 | EPC |
FET型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 30 毫欧 @ 6A,5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1.2mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 2.4nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 196pF @ 30V |
功率_最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 5-LGA |
供应商设备封装 | 5-LGA(1.7x1.1) |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
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